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Samsung Electronics annonce la production de masse de puces mémoire V-NAND de 5e génération avec les transferts de données les plus rapides actuellement disponibles. Pour la première utilisation du secteur de l’interface NAND ‘Toggle DDR 4.0’, la vitesse de transmission des données entre le stockage et la mémoire sur cette nouvelle puce V-NAND de 256 gigabits a atteint 1,4 Gbit/s, soit une augmentation de 40% par rapport à son prédécesseur de 64 couches.

L’efficacité énergétique du nouveau V-NAND de Samsung reste comparable à celle de la puce à 64 couches, principalement parce que sa tension de fonctionnement a été réduite de 1,8 à 1,2 volts. Le nouveau V-NAND de Samsung possède également la vitesse d’écriture de données la plus rapide à ce jour à 500 microsecondes, ce qui représente une amélioration d’environ 30% par rapport à la vitesse d’écriture de la génération précédente, alors que le temps de réponse aux signaux de lecture a été significativement réduit à 50 μs.

À l’intérieur du V-NAND 5e génération de Samsung se trouvent plus de 90 couches de ‘cellules 3D charge trap flash (CTF),’ la plus grande quantité du secteur, empilées dans une structure pyramidale avec des trous microscopiques percés verticalement. Ces trous qui ne mesurent que quelques centaines de nanomètres (nm) de large contiennent plus de 85 milliards de cellules CTF pouvant stocker trois bits de données chacune. La fabrication de cette mémoire à la pointe de la technologie est le résultat de plusieurs avancées incluant la conception évoluée de circuit et de nouvelles technologies de gravure.

Grâce aux améliorations du processus de dépôt de couches atomiques de V-NAND, le rendement de fabrication a aussi augmenté de plus de 30%. La technique mise en oeuvre permet de réduire la hauteur de chaque couche de cellule de 20%, évite l’intermodulation entre les cellules et augmente l’efficacité du traitement des données de la puce.

« Les solutions et produits V-NAND de cinquième génération de Samsung fourniront la NAND la plus avancée sur le marché. En plus des avancées exceptionnelles nous annonçons aujourd’hui que nous nous préparons à ajouter à notre gamme de V-NAND des offres de 1 téraoctet (To) et QLC (cellules quadri-niveau) qui contribueront au développement de solutions de mémoire NAND de nouvelle génération sur tout le marché internationalFlower Shirt Pattern Fit Red Tunic Sleeve K Décent Short Women Loose Allegra Avec Batwing ZZfAwqvF », a déclaré Kye Hyun Kyung, vice-président exécutif de Produit et technologie flash chez Samsung Electronics.

Samsung passera rapidement à la production de V-NAND de 5e génération pour répondre à une vaste gamme de besoins du marché, dans tous les secteurs critiques comme les supercalculateurs, les serveurs d’entreprises et les dernières applications mobiles comme les smartphones haute de gamme.

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